|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Calculation of ion channeling and drfect distribution in Si single crystal by B ion bombardmentтезисы доклада
- Авторы: Eltekov V.A., Karpuzov D.S., Martynenko Yu V., Rubakha E.A., Simonov V.A., Yurasova V.E.
- Сборник: Atomic Collisions in Solids. Physics of Channeling and Related Phenomena
- Тезисы
- Год издания: 1971
- Место издания: Research Institute for Physics Stockholm
- Первая страница: 76
- Последняя страница: 76
- Добавил в систему: Эльтеков Виталий Анатольевич