|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
К механизму диффузии в металлических материалах при ионной имплантациитезисы доклада
- Авторы: Колотов А.А., Баянкин В.Я.
- Сборник: Тезисы докладов XVI-го Международного семинара «Структурные основы модифицирования материалов» (МНТ-XVI), Обнинск
- Тезисы
- Год издания: 2021
- Место издания: ИАТЭ НИЯУ МИФИ г. Обнинск
- Первая страница: 53
- Последняя страница: 55
- Аннотация: Основной целью данной работы было определение механизма миграции атомов в радиационном поле. Отсутствие имплантируемых ионов (бора) на обратной стороне образцов свидетельствует, что диффузия атомов происходит по границам зерен – а в аморфных материалах данные механизмы не реализуемы в виду отсутствия межзеренных границ, в отличие от поликристаллических материалов, в которых наличие имплантируемых атомов было отмечено на противоположной стороне образцов. Движущей силой диффузионных процессов является процесс распространение упругих волн.
- Добавил в систему: Колотов Андрей Александрович