|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Влияние легирования таллием на подвижности электронов в Bi2Se3 и дырок в Sb2Te3статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
- Авторы: Кудряшов А.А., Кытин В.Г., Лунин Р.А., Кульбачинский В.А., Banerjee A.
- Журнал: Физика и техника полупроводников
- Том: 50
- Номер: 7
- Год издания: 2016
- Издательство: Наука
- Местоположение издательства: СПб.
- Первая страница: 886
- Последняя страница: 892
- Добавил в систему: Лунин Роман Анатольевич