|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Dechanneling study of nanocrystalline Si:H layers produced by hydrogen irradiation of silicon crystalsстатья
- Авторы: Popov V.P., Gutakovsky A.K., Antonova I.V., Zhuravlev K.S., Pokhil G.P., Morosov I.I.
- Журнал: MRS
- Том: 536
- Год издания: 1999
- Первая страница: 109
- Последняя страница: 114
- Добавил в систему: Похил Григорий Павлович