|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Effect of the Built-in Electric Field on Optical and Electrical Properties of AlGaAs/InGaAs/GaAs P-HEMT Nanoheterostructuresстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 февраля 2017 г.
- Авторы: Khabibullin R.A., Vasil’evskii I.S., Galiev G.B., Klimov E.A., Ponomarev D.S., Gladkov V.P., Kulbachinskii V.A., Klochkov A.N., Uzeeva N.A.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 45
- Номер: 5
- Год издания: 2011
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 657
- Последняя страница: 662
- Добавил в систему: Кульбачинский Владимир Анатольевич