|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Ultra-High Sensitivity MEMS Pressure Sensor Utilizing Bipolar Junction Transistor for Pressures Ranging From −1 to 1 kPaстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 17 августа 2021 г.
- Автор: Basov Mikhail
- Журнал: IEEE Sensors Journal
- Том: 21
- Номер: 4
- Год издания: 2021
- Издательство: Institute of Electrical and Electronics Engineers
- Местоположение издательства: Piscataway, NJ, United States
- Первая страница: 4357
- Последняя страница: 4364
- DOI: 10.1109/jsen.2020.3033813
- Аннотация: The theoretical model and experimental characteristics of ultra-high sensitivity MEMS pressure sensor chip for 1 kPa utilizing a novel electrical circuit are presented. The electrical circuit uses piezosensitive differential amplifier with negative feedback loop (PDA-NFL) based on two bipolar-junction transistors (BJT). The BJT has a vertical structure of n-p-n type (V-NPN) formed on a non-deformable chip area. The circuit contains eight piezoresistors located on a profiled membrane in the areas of maximum mechanical stresses. The circuit design provides a balance between high pressure sensitivity (S =44.9 mV/V/kPa) and fairly low temperature coefficient of zero signal (TCZ = 0.094% FS/°C). Additionally, high membrane burst pressure of P = 550 kPa was reached.
- Добавил в систему: Басов Михаил Викторович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Preprint._Ultra-High_Sensitivity_MEMS_Pressure_Sensor_Utili… | Preprint._Ultra-High_Sensitivity_MEMS_Pressure_Sensor_Utili… | 868,5 КБ | 6 августа 2021 [BasovMikhail] |