|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Выявление дефектов в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/AlGaN/GaN методами ЦКЛ и ЦКЛ-ВСР в РЭМтезисы доклада
- Авторы: Габельченко А.И., Иванников П.В.
- Сборник: Тезисы докладов 7-ой Всероссийской конференции "Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы"
- Тезисы
- Год издания: 2010
- Место издания: Санкт-Петербург
- Первая страница: 205
- Последняя страница: 206
- Добавил в систему: Габельченко Антон Игоревич