|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Morphology Study of the Porosity of the GaP Surface Layer Formed on the Surface of a Single Crystal by Electrochemical Etchingстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 8 апреля 2022 г.
- Авторы: Suchikova Yana, Lazarenko Andriy, Bohdanov Ihor, Dauletbekova Alma, Usseinov Abay, Popov Anatoli I.
- Сборник: 2021 IEEE 11th International Conference Nanomaterials: Applications & Properties (NAP)
- Серия: IEEE Conference Publications
- Год издания: 2021
- Место издания: IEEE
- Первая страница: 1
- Последняя страница: 4
- DOI: 10.1109/nap51885.2021.9568561
- Добавил в систему: Попов (Popov) Анатолий (Anatoli) Иванович