|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Низковольтные мемристоры на основе нанослоёв LiNbO3 и композита (Co40Fe40B20)x(LiNbO3)100-x для применения в импульсных нейроморфных сетяхтезисы доклада
- Авторы: Ильясов А.И., Никируй К.Э.
- Сборник: Материалы Международного молодежного научного форума «Ломоносов-2021»
- Редакторы: Алешковский Иван Андреевич, Андрианов А.В., Антипов Евгений Александрович, Зимакова Екатерина Игоревна
- Серия: География
- Тезисы
- Год издания: 2021
- Издательство: ООО "МАКС Пресс"
- Местоположение издательства: Москва
- Номер статьи: 10
- Добавил в систему: Ильясов Александр Игоревич