|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Double-barrier Josephson junctions: Theory and experimentстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Brinkman A., Cassel D., Golubov A.A., Kupriyanov M.Y., Siegel M., Rogalla H.
- Журнал: IEEE Transactions on Applied Superconductivity
- Том: 11
- Номер: 1
- Год издания: 2001
- Издательство: Institute of Electrical and Electronics Engineers
- Местоположение издательства: Piscataway, NJ, United States
- Первая страница: 1146
- Последняя страница: 1149
- DOI: 10.1109/77.919551
- Аннотация: New theoretical and experimental results on double-barrier SIS'IS Josephson junctions are presented (I is a tunnel barrier, S' is a thin film with critical temperature lower than that of S), The previously developed microscopic model for the stationary case, which describes the critical currents in Nb/Al/Nb junctions, is extended to the non-equilibrium regime of finite voltage. In particular, an intrinsic shunting resistance is estimated from I-V curves. We formulate the requirements for interface barriers in order to realize non-hysteretic SIS'IS junctions with high critical current density and IcRN products. A comparison with single-barrier SIS junctions with high critical current density is carried out.
- Добавил в систему: Куприянов Михаил Юрьевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | IEEE_AS_2001_11_1146.pdf | IEEE_AS_2001_11_1146.pdf | 293,9 КБ | 19 февраля 2016 [mkupr] |