|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Current transport in two-dimensional HTS NID junctionsстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Devyatov I.A., Goncharov D.V., Kupriyanov M.Y.
- Журнал: Physica C: Superconductivity and its Applications
- Том: 350
- Номер: 3-4
- Год издания: 2001
- Издательство: Elsevier BV
- Местоположение издательства: Netherlands
- Первая страница: 249
- Последняя страница: 260
- DOI: 10.1016/S0921-4534(00)01610-5
- Аннотация: Noninteracting localized centers in the insulating layer of an SIN junction cause a current deficiency on the current-voltage characteristic of the junction at high voltages. This factor explains the current-voltage characteristics observed experimentally for structures with a high-T(c) superconducting electrode and makes it possible to determine the modulus of the order parameter of this electrode.
- Добавил в систему: Куприянов Михаил Юрьевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | PhysC_2001_350_249.pdf | PhysC_2001_350_249.pdf | 178,0 КБ | 19 февраля 2016 [mkupr] |