Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Gas-phase Parameters and Reactive-ion Etching Regimes for Si and SiO2 in Binary Ar + CF4/C4F8 Mixtures
статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Авторы:
Efremov A.M.,
Betelin V.B.
, Mednikov K.A., Kwon K.H.
Журнал:
Известия высших учебных заведений. Химия и химическая технология
Том:
64
Номер:
6
Год издания:
2021
Издательство:
Иван. химико-технол. ун-т
Местоположение издательства:
Иваново
Первая страница:
25
Последняя страница:
34
DOI:
10.6060/IVKKT.20216406.6377
Добавил в систему:
Стамов Любен Иванович