|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Исследование возможности создания мемристоров на основе анодного оксида титанатезисы доклада
- Авторы: Мельникова П.А., Петухов Д.И., Бойцова О.В.
- Сборник: XIV Конференция молодых ученых "Актуальные проблемы неорганической химии: перспективные методы синтеза веществ и материалов", Звенигород, 13 - 15 ноября 2015 г
- Тезисы
- Год издания: 2015
- Место издания: МГУ имени М.В.Ломоносова г. Москва
- Аннотация: С каждым годом требования к носителям памяти возрастают, и становится более целесообразным использование энергонезависимых микроустройств с большим сроком службы. Одним из примеров являются мемристоры – от комбинации английских слов «memory» и «resistor». Они имеют структуру металл – полупроводник – металл, где в качестве полупроводникового слоя используют в том числе нестехиометричные кислородные соединения, в которых под действием протекающего тока возможен транспорт дефектов.
- Добавил в систему: Морозова Полина Александровна