|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Investigation of Plane Defects in a Dielectric Wafer by Spectral-Domain Integral Equation Methodстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 12 июля 2019 г.
- Автор: Lopushenko V.V.
- Журнал: Computational Mathematics and Modeling
- Том: 28
- Номер: 1
- Год издания: 2017
- Издательство: Consultants Bureau
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 60
- Последняя страница: 73
- DOI: 10.1007/s10598-016-9345-y
- Аннотация: The spectral-domain volume integral equation is used to develop a computer model for investigating the scattering properties of plane objects in the form of elliptical cylinders embedded in a dielectric wafer. The features of the model are demonstrated for particles of different materials and different shapes.
- Добавил в систему: Лопушенко Владимир Васильевич