|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
A new type of quantized Hall effectin layered semiconductors Bi2-xSnxTe3 and Sb2-xSnxTe3статья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 6 февраля 2017 г.
- Авторы: Sasaki M., Miyajima N., Negishi H., Inoue M., Kulbachinskii V.A., Suga K., Narumi Y., Kindo K.
- Журнал: Physica B: Condensed Matter
- Том: 298
- Год издания: 2001
- Издательство: Elsevier BV
- Местоположение издательства: Netherlands
- Первая страница: 510
- Последняя страница: 514
- Добавил в систему: Кульбачинский Владимир Анатольевич