Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Intrinsic device-to-device variation in graphene field-effect transistors on a Si/SiO2 substrate as a platform for discriminative gas sensing
статья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Авторы:
Lipatov Alexey
,
Varezhnikov Alexey
,
Augustin Martin
,
Bruns Michael
,
Sommer Martin
,
Sysoev Victor
,
Kolmakov Andrei
,
Sinitskii Alexander
Журнал:
Applied Physics Letters
Том:
104
Номер:
1
Год издания:
2014
Издательство:
AIP Publishing
Местоположение издательства:
United States
DOI:
10.1063/1.4861183
Добавил в систему:
Липатов Алексей Владимирович