|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Electron mobilities in dimensional subbands of combinatively doped GaAslGaAlAs heterojunctions with high density of 2D electrons статья
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 13 июня 2017 г.
- Авторы: Kul'bachinskii V.A., Lunin R.A., Kytin V.G., Bugaev A.S., Senichkin A.P.
- Журнал: Journal of Experimental and Theoretical Physics
- Том: 83
- Номер: 4
- Год издания: 1996
- Издательство: Maik Nauka/Interperiodica Publishing
- Местоположение издательства: Russian Federation
- Первая страница: 841
- Последняя страница: 848
- Добавил в систему: Кульбачинский Владимир Анатольевич