Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Raman scattering as nondestructive method for monitoring of GaAs (100) surface after electron-cyclotron plasma etching
статья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 мая 2015 г.
Авторы:
Avakyants L.P.
,
Bokov P.Yu
, Grigor’ev A.T.,
Chervyakov A.V.
Журнал:
IZVESTIYA AKADEMII NAUK SSSR SERIYA FIZICHESKAYA
Том:
68
Номер:
3
Год издания:
2004
Первая страница:
450
Последняя страница:
453
Добавил в систему:
Боков Павел Юрьевич