|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Linear Electro-Optic Effect in Electroreflectance Spectra of AlGaN/InGaN/GaN Light Emitting Diodes Structuresстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 октября 2013 г.
- Авторы: Avakyants Lev P., Aslanyan Artem E., Bokov Pavel Yu, Chervyakov Anatoly V., Polozhentsev Kirill Yu
- Журнал: Japanese Journal of Applied Physics
- Том: 52
- Год издания: 2013
- Издательство: Institute of Pure and Applied Physics
- Местоположение издательства: Japan
- Первая страница: 08JK11
- DOI: 10.7567/JJAP.52.08JK11
- Аннотация: The linear electro-optic effect in InGaN/AlGaN/GaN pn-heterostructures for light emitting diodes, grown by metal–organic chemical vapor deposition on sapphire substrates and flip-chip mounted, was studied by electroreflectance spectroscopy. Interference fringes, whose parameters depend on the DC voltage applied on the pn-junction, were observed in electroreflectance spectra. Data analysis, based on a calculation of the built-in electric field in the depletion layer and linear electro-optic effect, yielded the linear electro-optic coefficient r13 of 22±6 pm/V for hexagonal In0.12Ga0.88N.
- Добавил в систему: Боков Павел Юрьевич