|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Si etching affected by IR laser irradiationстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 1 апреля 2022 г.
- Авторы: FV Bunkin, Luk'yanchuk BS, Shafeev GA, Kozlova EK, Portniagin AI, Yeryomenko AA, Mogyorosi P., Kiss JG
- Журнал: Applied Physics A: Materials Science and Processing
- Том: 37
- Номер: 2
- Год издания: 1985
- Издательство: Springer Verlag
- Местоположение издательства: Germany
- Первая страница: 117
- Последняя страница: 119
- Аннотация: Silicon was etched in an aqueous solution of sodium hydroxide under ir laser irradiation. Two types of lasers were used, a Nd:YAG laser with a wavelength of λ=1.06 μm and a CO2 laser with λ=10.6 μm. Small-size blind holes, through holes and reliefs were formed on a Si target, and even a special type of hole can be formed with help of a CO2 laser, namely a blind hole with a hillock in its center.
- Добавил в систему: Лукьянчук Борис Семенович