Reduction in the Contrast of Photoconductivity along the Area of Inhomogeneous P+-N(P)-N+-type Silicon Structures due to Currents along the P+- and N+-type Layers

Koshelev, O.G.

Reduction in the Contrast of Photoconductivity along the Area of Inhomogeneous P+-N(P)-N+-type Silicon Structures due to Currents along the P+- and N+-type Layersстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 13 июня 2017 г.

Автор: Koshelev O.G.
Журнал: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics
Том: 81
Номер: 1
Год издания: 2017
Издательство: Allerton Press Inc.
Местоположение издательства: United States
Первая страница: 34
Последняя страница: 37
DOI: 10.3103/S1062873817010142
Добавил в систему: Кошелев Олег Григорьевич

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ИНХС РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИСТИНА ИНХС РАН

Reduction in the Contrast of Photoconductivity along the Area of Inhomogeneous P+-N(P)-N+-type Silicon Structures due to Currents along the P+- and N+-type Layersстатья