РТ-симметричная терагерцовая фотопроводимость в структурах на основе топологической фазы Hg1–xCdxTe как суперпозиция процессов в активном слое и на гетерограницахтезисы доклада
Аннотация:В работе показано, что в структурах на основе топологической фазы Hg1-xCdxTe свойства двумерных топологических состояний, сформированных на гетерогранице тривиальный буфер – топологическая пленка, отличаются от состояний на границе раздела топологическая пленка – вакуум, и именно первые ответственны за появление РТ-симметричной фотопроводимости. Кроме того, показано, что источником неравновесных электронов, обуславливающих появление РТ-симметричной фотопроводимости, является объем пленки, в то время как местом проявления последней является гетерограница тривиальный буфер – топологическая пленка.