|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
ВЛИЯНИЕ ИОНОВ C60 ВЫСОКИХ ЭНЕРГИЙ НА СТРУКТУРУ И СВЯЗИ УГЛЕРОДНЫХ ПОКРЫТИЙстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
- Авторы: БЕЛЬМЕСОВ А.А., НЕЧАЕВ Г.В., ПУХА В.Е., КАБАЧКОВ Е.Н., ХОДОС И.И., КАРАСЕВ П.А.
- Журнал: Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
- Номер: 4
- Год издания: 2022
- Издательство: ФГБУ "Издательство "Наука"
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 3
- Последняя страница: 10
- DOI: 10.31857/S1028096022040021
- Аннотация: Методами просвечивающей электронной микроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследованы углеродные пленки, полученные при осаждении ускоренных ионов C60. Показано, что при энергии пучка ионов 7 кэВ и температуре подложки 100–200°C формируются аморфные углеродные пленки. Повышение температуры подложки до 300°C приводит к формированию нанокомпозитных пленок, содержащих нанокристаллы графита и аморфную углеродную матрицу. Присутствие в пучке двух- и трехзарядных ионов с энергией 14 и 21 кэВ, соответственно, приводит к снижению температуры формирования нанокомпозитов до 200°C. В результате анализа данных, собранных методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и оже-электронной спектроскопии с разной информационной глубины, установлено, что соотношение sp3/sp2 в поверхностных слоях выше, чем в глубинных слоях, как в случае пучка с энергией 7 кэВ, так и при наличии в пучке многозарядных ионов высоких энергий. Если в пучке присутствуют высокоэнергетические ионы, то соотношение sp3/sp2 больше и сложным образом зависит от температуры осаждения. Максимальное количество sp3-связей в поверхностных слоях обнаружено при температуре осаждения 350°C и составляет 88%. Угол смачивания для этой пленки 96°, что близко к углу смачивания алмазной поверхности.
- Добавил в систему: Кабачков Евгений Николаевич