|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Electrical Properties of High-Quality Synthetic Boron-Doped Diamond Single Crystals and Schottky Barrier Diodes on Their Basisстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 20 апреля 2022 г.
- Авторы: Bormashov V.S., Tarelkin S.A., Buga S.G., Volkov A.P., Golovanov A.V., Kuznetsov M.S., Kornilov N.V., Teteruk D.V., Luparev N.V., Terent’ev S.A., Blank V.D.
- Журнал: Inorganic Materials
- Том: 54
- Номер: 15
- Год издания: 2018
- Издательство: Maik Nauka/Interperiodica Publishing
- Местоположение издательства: Russian Federation
- Первая страница: 1469
- Последняя страница: 1476
- DOI: 10.1134/s0020168518150037
- Добавил в систему: Малышкина Инна Александровна