Аннотация:разработаны технологии высокочистых поликристаллических Alq3, Gaq3 и Inq3. Далее была разработана оригинальная методика и построены P8-Нq-T диаграммы указанных соединений, которые являются фундаментальной основой для выбора условий синтеза фаз с контролируемым отклонением от стехиометрии. На основе анализа P8-Нq-T диаграмм был предложен новый способ выращивания монокристаллов Alq3, Gaq3 и Inq3. Суть разработанного способа (Рис.1) заключается в изотермической кристаллизации расплава при Т2 в условиях градиента парциального давление 8-оксихинолина (Р3-Р1).