|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Переключение поляризационных мод излучения лазерных диодов n-AlxGa1-xAs/GaAsyP1-y/p-AlxGa1-xAs при внешних напряженияхтезисы доклада
- Авторы: Богданов Е.В., Минина Н.Я.
- Сборник: Тезисы докладов. ХI Российская крнференция по физике полупроводников. Санкт-Петербург, 16 сентября – 20 сентября 2013 г
- Тезисы
- Год издания: 2013
- Место издания: ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург
- Первая страница: 418
- Аннотация: Напряженные полупроводниковые гетероструктуры лежат в основе технологии современных твердотельных лазеров, и роль внутренних напряжений несоответствия кристаллических решеток в формировании спектра квантовых ям и оптических характеристик лазерных диодов хорошо изучена. В настоящей работе представлены результаты численных расчетов о влиянии на излучающий элемент анизотропных деформаций, которые могут возникнуть в результате внешних механических или температурных воздействий.
- Добавил в систему: Богданов Евгений Владимирович