|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Influence of surface and doping on electron transport in PHEMT structures on GaAs substrate with quantum well AlGaAs/InGaAs/GaAsтезисы доклада
- Авторы: Kulbachinskii V.A., Yuzeeva N.A., Lunin R.A., Klochkov A.N., Galiev G.B., Vasilievskii I.S., Klimov E.A.
- Сборник: Fundamentals of electronic nanosystems - NanoПитер2010, Program and abstracts
- Тезисы
- Год издания: 2010
- Место издания: Ioffe Physico-Technical Institute St. Petersburg
- Первая страница: 52
- Последняя страница: 55
- Добавил в систему: Кульбачинский Владимир Анатольевич