Аннотация:Получена и проанализирована сложная структура прецизионных рентгеновских фотоэлектронных спектров (РФЭС) валентных и остовных электронов кристаллической пленки ThO2 (001) на Si (100) и проведены расчеты электронной структуры кластеров ThO8, Th13O56 и Th63O216. Построена гистограмма рассчитанного спектра РФЭС электронов внешних (от 0 до ~15 эВ, ВМО) и внутренних (от ~15 до ~35 эВ, ВВМО) валентных МО и найдено удовлетворительное согласие с экспериментальным спектром. Отмечается значительное перекрывание не только Th 6 d атомных орбиталей (АО), но и Th 6 p , 5 f АО с орбиталями кислорода, что приводит к ковалентному характеру связи в этом диоксиде. На основании величин заселенностей связи проведена оценка вклада в химическую связь электронов ВМО и ВВМО. Показано, что электроны ВВМО ослабляют химическую связь, обусловленную электронами ВМО. Предполагается, что сложная структура в спектрах Th 5 s - и Th 5 p -электронов в большой степени обусловлена динамическим эффектом, в результате чего не удается наблюдать структуру спектра Th 5 s -электронов в ThO2.