Influence of thin heterolayer insertion on the electron transport properties of GaAs/InGaAs/GaAs shallow quantum wellsстатья
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 12 июля 2017 г.
-
Авторы:
Vasil'evskii I.S.,
Galiev G.B.,
Mokerov V.G.,
Kulbachinskii V.A.,
Lunin R.A.,
Galistu G.,
de_Visser A.
-
Сборник:
15th International Symposium, Nanostructures: Physics and Technology, Novosibirsk, Russia, June 25–29, 2007, Proceedings
-
Год издания:
2007
-
Место издания:
Ioffe Institute St. Petersburg, Russia
-
Первая страница:
321
-
Последняя страница:
322
-
Добавил в систему:
Кульбачинский Владимир Анатольевич