|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Degradation of high-power semiconductor quantum-well lasersстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 6 февраля 2014 г.
- Авторы: Koval O.I., Rzhanov A.G., Solovyev G.A.
- Журнал: Physics of Wave Phenomena
- Том: 21
- Номер: 4
- Год издания: 2013
- Издательство: Allerton Press Inc.
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 287
- Последняя страница: 290
- DOI: 10.3103/S1541308X13040092
- Аннотация: Provides the degradation mechanism of semiconductor lasers with quantum wells with a width of contact more than 50 microns, describes the emergence of multiple channels generation at the length of an ambipolar diffusion of carriers, less width of the contact. Over time, the length of diffusion of carriers decreases due to the growth of the number of defects that leads to the increase of the number of channels generation and filling of the emission spectrum of the laser. The original appearance of the spectrum lasers can predict their term of service. 1. National Research University "Moscow Power Engineering Institute", Physics Division. Address: 14, Krasnokazarmennaya st., Moscow, 112250, GSP-1, Russian Federation. 2. M.V. Lomonosov Moscow State University, Department of Physics, Oscillations Physics Division. Address: MSU, 1, building 2, Leninskiye Gory, Moscow, 119991, GSP-1, Russian Federation.
- Добавил в систему: Ржанов Алексей Георгиевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | Statya_Koval_Rzhanov_Solovyov_v_Physics_of_Wave_Fenomena_20… | 309,9 КБ | 27 октября 2015 [algebr0] |