Место издания:МНТОРЭС им. А.С. Попова, НИУ «МЭИ» Москва
Первая страница:61
Последняя страница:66
Аннотация:Рассмотрены механизмы возникновения деградации полупроводниковых лазеров с квантовыми ямами с шириной контакта более 10 мкм, описывающие возникновение нескольких каналов генерации при длине амбиполярной диффузии носителей, меньшей ширины контакта. Со временем длина диффузии носителей уменьшается из-за роста числа дефектов, что приводит к увеличению числа каналов генерации и наполнению спектра излучения лазера. По первоначальному виду спектра лазеров можно прогнозировать их срок службы.