|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Peculiarities of conductivity in delta-doped by Si on vicinal (111)A GaAs substrate structuresтезисы доклада
- Авторы: Kulbachinskii V.A., Galiev G.B., Mokerov V.G., Lunin R.A., Rogozin V.A., Derkach A.V., Vasilevskii I.S.
- Сборник: Internation Conference on Superlattices, Nano-Structures and Nano-Devices, Toulouse-France, July 22-26, 2002, Abstracts
- Том: 1
- Тезисы
- Год издания: 2002
- Место издания: Toulouse, France
- Первая страница: P062
- Добавил в систему: Кульбачинский Владимир Анатольевич