Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Negative and positive persistent photoconductivity in GaAs delta-doped by Sn
тезисы доклада
Авторы:
Kytin V.G.
,
Bugaev A.S.
,
Golikov A.V.
,
Demin A.V.
,
Kulbachinskii V.A.
,
Lunin R.A.
,
Senichkin A.P.
Сборник:
XIII Уральская международная школа по физике полупроводников "Электронные свойства низкоразмерных полу- и сверхпроводниковых структур", 15-20 февраля 1999, тезисы докладов, Екатеринбург
Тезисы
Год издания:
1999
Место издания:
Институт физики металлов УРО РАН Екатеринбург
Первая страница:
23
Последняя страница:
24
Добавил в систему:
Кульбачинский Владимир Анатольевич