Negative and positive persistent photoconductivity in GaAs delta-doped by Sn - тезисы доклада | ИСТИНА – Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Negative and positive persistent photoconductivity in GaAs delta-doped by Snтезисы доклада

Авторы: Kytin V.G., Bugaev A.S., Golikov A.V., Demin A.V., Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Senichkin A.P.
Сборник: XIII Уральская международная школа по физике полупроводников "Электронные свойства низкоразмерных полу- и сверхпроводниковых структур", 15-20 февраля 1999, тезисы докладов, Екатеринбург
Тезисы
Год издания: 1999
Место издания: Институт физики металлов УРО РАН Екатеринбург
Первая страница: 23
Последняя страница: 24
Добавил в систему: Кульбачинский Владимир Анатольевич