|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Transport properties of high carrier density GaAs/GaAlAs heterostructuresтезисы доклада
- Авторы: Kulbachinskii V.A., Kadushkin V.I., Brandt N.B., Kytin V.G., Lunin R.A., Shangina E.L., de Visser A.
- Сборник: International Symposium NANOSTRUCTURES: Physics and Technology 95, St. Petersburg (1995), Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers
- Тезисы
- Год издания: 1995
- Место издания: Ioffe Physico-Thechnical Institute St. Petersburg, Russia
- Первая страница: 45
- Последняя страница: 48
- Добавил в систему: Кульбачинский Владимир Анатольевич