Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Structural and electrophysical properties of pseudomorphic GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells: effect of thin central AlAs barrier
тезисы доклада
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 22 июля 2017 г.
Авторы:
Vasil’evskii I.S.
,
Kulbachinskii V.A.
,
Galiev G.B.
,
Imamov R.M.
,
Lomov A.A.
,
Prohorov D.Yu
Сборник:
Х International Conference "Micro- and Nanoelectronics", Zvenigorod, October 3th-7th, 2005, Book of Abstracts
Тезисы
Год издания:
2005
Место издания:
ФТИАН Zvenogorod
Первая страница:
P2-23
Добавил в систему:
Кульбачинский Владимир Анатольевич