|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Nonlinear effects in the sputtering of gallium arsenide and silicon by bismuth cluster ionsстатья
- Авторы: A B.Tolstoguzov, P A.Mazarov, A E.Ieshkin, Meyer F., D J.Fu
- Журнал: Technical Physics Letters
- Том: 48
- Номер: 3
- Год издания: 2022
- Издательство: Pleiades Publishing, Ltd
- Местоположение издательства: Road Town, United Kingdom
- Первая страница: 18
- Последняя страница: 21
- DOI: 10.21883/tpl.2022.03.52875.19071
- Добавил в систему: Иешкин Алексей Евгеньевич