Transport properties of high electron density GaAs deta-doped by Sn structures - тезисы доклада | ИСТИНА – Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Transport properties of high electron density GaAs deta-doped by Sn structuresтезисы доклада

Авторы: Kulbachinskii V.A., Kytin V.G., Lunin R.A., Golikov A.V., Demin A.V.
Сборник: Тезисы докладов XII Международной школы по Физике Полупроводников «Электронные свойства низкоразмерных полупроводниковых структур", март 1997, Екатеринбург,
Том: 43
Тезисы
Год издания: 1997
Место издания: Институт Физики Металлов УРО РАН Екатеринбург
Первая страница: 43
Добавил в систему: Кульбачинский Владимир Анатольевич