Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Optimization of transport parameters of selectively delta-doped GaAs/GaAlAs heterostructures with high carrier density for field effect transistor
тезисы доклада
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 14 августа 2017 г.
Авторы:
Kulbachinskii V.A.
,
Kadushkin V.I.
,
Brandt N.B.
,
Kytin V.G.
,
Lunin R.A.
,
Shangina E.L.
,
de_Visser A.
Сборник:
2nd International Conference PLDS-2, Physics of Low Dimensional Structures, Abstracts, Dubna 1995
Тезисы
Год издания:
1995
Место издания:
Institute of Solid State Physics Dubna
Первая страница:
43
Последняя страница:
43
Добавил в систему:
Кульбачинский Владимир Анатольевич