Лазерно-индуцированное формирование поверхностных периодических структур и обратимая кристаллизация в аморфных тонких пленках Ge2Sb2Te5 как результат фемтосекундного облучениястатья
Аннотация:Фемтосекундное лазерное структурирование открывает дляхалькогенидного полупроводника Ge2Sb2Te5 новые перспективы использования вприложениях фотоники благодаря широкому изменению его структурных и оптическихсвойств при такой обработке. Нами исследована лазерно-индуцированная модификациятонких аморфных пленок Ge2Sb2Te5 на кремниевых подложках. Исследованияпоказывают, что периодическое формирование рельефа сопровождается фазовымипереходами в ГЦК-кристаллическую фазу и обратно. Кроме того, облученные образцыGe2Sb2Te5 демонстрируют оптическую прозрачность в ближней инфракрасной области.Рассмотренные структуры представляют интерес для дальнейших исследований вкачестве основы новых запоминающих устройств, которые могут обладать оптическойанизотропией и быть интегрированы в волоконно-оптические приложения.
