|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Measurement of ionization loss of 50 GeV protons in silicon with smoothly tunable up to 1 cm thickness using a single flat detectorстатья
- Авторы: Nazhmudinov R.M., Shchagin A.V., Kubankin A.S., Afonin A.G., Britvich G.I., Durum A.A., Kostin M.Y., Maisheev V.A., Pitalev V.I., Chesnokov Y.A., Yanovich A.A.
- Журнал: Journal of Instrumentation
- Том: 17
- Год издания: 2022
- Издательство: IOP Publishing
- Местоположение издательства: [Bristol, UK], England
- Первая страница: P01015
- DOI: 10.1088/1748-0221/17/01/p01015
- Добавил в систему: Галанина Лидия Ивановна