Ultrafast Laser-Induced Transitions on the Surface of Semiconductors to a Cold-Liquid State or a New Crystal Phaseстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 ноября 2013 г.
Местоположение издательства:[Bristol, UK], England
Первая страница:514
Последняя страница:523
Аннотация:Intermode anharmonic interaction is taken into account within the framework of the theory of
ultrafast (t ~ 10–13 s) structure phase transitions on the surface of semiconductors (Si, GaAs) under the action of femtosecond laser pulses. We specify conditions of plasma-induced transitions either to the state of chaotically disordered atoms (cold liquid) or to a state with a crystal symmetry other than the initial symmetry of a crystal (new crystal phase). The relevant experiments with Si and GaAs are interpreted.