|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Channeling and radiation defects in 40 keV boron implanted Siстатья
- Авторы: Karpuzov D.S., Lusnikov A.V., Chernysh V.S., Yurasova V.E.
- Сборник: Proc. of Intern. Symposium on Physics of Ionized Gases
- Год издания: 1976
- Место издания: Dubrovnik, Yugoslavia
- Первая страница: 304a
- Последняя страница: 304c
- Добавил в систему: Юрасова Вера Евгеньевна