|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Transition from quasi-hexagonal to quasi-one dimensional pores distribution during deep anodic etching of uniaxialle stressed silicon plateстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 7 декабря 2013 г.
- Авторы: STARKOV V., VYATKIN A., EMEL'YANOV V.I., EREMIN K.
- Сборник: Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
- Год издания: 2004
- Первая страница: 225
- Последняя страница: 234
- Аннотация: A gradual transition from quasi-hexagonal to quasi-one dimensional pore distribution during deep anodic etching of a uniaxially stressed silicon plate was experimentally observed to increase with mechanical loading.
- Добавил в систему: Емельянов Владимир Ильич