Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Single Arsenic Atom SOI-based Single-electron Transistor
тезисы доклада
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 мая 2015 г.
Авторы:
Presnov D.E.
,
Shorokhov V.V.
,
Amitonov S.V.
,
Trifonov A.S.
,
Krupenin V.A.
Сборник:
Abstr. of The 8th General Meeting of ACCMS-VO (Asian Consortium on Computational Material Science – Virtual Organisation), IMR, Tohoku
Тезисы
Год издания:
2013
Место издания:
IMR, Tohoku University IMR, Tohoku University
Первая страница:
PS-03
Добавил в систему:
Трифонов Артем Сергеевич