|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Рост из пара кристаллов п-сексифенила и его триметилсилильного производногостатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
- Авторы: Постников В.А., Кулишов А.А., Борщев О.В., Свидченко Е.А., Сурин Н.М.
- Журнал: Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
- Номер: 1
- Год издания: 2021
- Издательство: ФГБУ "Издательство "Наука"
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 28
- Последняя страница: 31
- DOI: 10.31857/s1028096021010131
- Аннотация: Крупные монокристаллические пленки п-сексифенила и его производного c концевыми триметилсилильными заместителями выращены в условиях парового физического транспорта. Структурамонокристаллических пленок исследована методом рентгеновской дифракции. В сравнении с кристаллической структурой п-сексифенила в кристаллах триметилсилильного производного молекулярные π-системы значительно сдвинуты друг относительно друга внутри слоев (001) с “паркетноелочным” типом упаковки. Получены и проанализированы спектры оптического поглощения ифотолюминесценции исследуемых веществ в растворах тетрагидрофурана. Установлено, что наличие концевых заместителей Si(CH3)3 в составе молекулы вызывает легкий батохромный сдвиг спектров поглощения и фотолюминесценции растворов.
- Добавил в систему: Борщев Олег Валентинович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|