Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Calculation of ion channeling and defect distribution in Si single crystal by ion bombardment
статья
Авторы:
Eltekov V.A.
, Karpuzov D.S., Martynenko Yu V., Rubakha E.A., Simonov V.A.,
Yurasova V.E.
Сборник:
Abstrасе of the 4-th Int. Conf. on Atomic Collisions in Solids
Год издания:
1971
Место издания:
Gausdal, Norway
Первая страница:
78
Последняя страница:
78
Добавил в систему:
Юрасова Вера Евгеньевна