|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
ИССЛЕДОВАНИЕ МЕМРИСТОРОВ НА ОСНОВЕ ПЛЕНОК ОКСИДА КРЕМНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ЦИНКОМВстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
- Авторы: Привезенцев В.В., Куликаускас В.С., Затекин В.В., Киселев Д.А., Воронова М.И.
- Журнал: Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
- Номер: 6
- Год издания: 2022
- Издательство: ФГБУ "Издательство "Наука"
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 96
- Последняя страница: 102
- DOI: 10.31857/S1028096022060140
- Аннотация: Нанокластеры металлов и металлооксидных соединений в различных твердотельных матрицах могут найти применение в перспективных устройствах микроэлектроники. Представлены результаты исследования мемристоров на основе пленок оксида кремния, имплантированных ионами цинка 64Zn+ (доза 3× 1016 cм–2, энергия 40 кэВ) при комнатной температуре и отожженных при температурах 400–800°С в окислительной среде. Профили концентрации имплантированного цинка, а также элементов матрицы – кремния и кислорода – получены с использованием спектроскопии резерфордовского обратного рассеяния ионов He+ с энергией 2 MэВ. Топологию поверхности исследовали с помощью сканирующего зондового микроскопа в режиме атомно-силовой микроскопии и кельвин-моде. После имплантации происходит сглаживание поверхности образца из-за распыления. Далее в процессе термических отжигов шероховатость поверхности увеличивается, и наблюдается уширение распределения шероховатости по сравнению с имплантированным образцом. Полученные в кельвин-моде изображения поверхностного потенциала различаются знаком сигнала – положительным для исходного образца и отрицательным для отожженного при 800°С. Фазовый состав пленок изучали с помощью рентгенодифракционного анализа в скользящей геометрии. Установлено, что после имплантации в пленке SiО2 образуются кристаллические фазы Zn. После отжига при 800°С фаза Zn частично превращается в фазу ZnO и в основном в фазу силицида цинка (виллемита) Zn2SiO4. Анализ мелких пиков на дифрактограммах, выполненный в программе EVA, указывает, что в образцах образуются фазы β-Zn2SiO4 и Zn1.95SiO4.
- Добавил в систему: Куликаускас Вацловас Станиславович