Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
The local crystallization thresholds under laser irradiation of the Cu+ -ion implanted Ge layers with various thicknesses
статья
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Авторы:
Pavlikov Alexander V.
, Rogov Alexey M.,
Sharafutdinova Alfia M.
,
Zoteyev Andrey V.
, Khantimerov Sergey M., Gavrilova Tatiana P.,
Stepanov Andrey L.
Журнал:
Journal of Raman Spectroscopy
Том:
54
Номер:
3
Год издания:
2023
Издательство:
John Wiley & Sons Inc.
Местоположение издательства:
United States
Первая страница:
245
Последняя страница:
249
DOI:
10.1002/jrs.6488
Добавил в систему:
Павликов Александр Владимирович