|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Образование промежуточного слоя при эпитаксиальном наращивании твердых растворов In(1-x)GaxP на подложках арсенида галлиястатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 23 января 2020 г.
- Авторы: Батырев Н.И., Уфимцев В.Б., Чукичев М.В.
- Журнал: Кристаллография
- Том: 24
- Номер: 2
- Год издания: 1979
- Издательство: ФГУП Издательство «Наука»
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 338
- Последняя страница: 342
- Добавил в систему: Чукичев Михаил Васильевич