Image Contrast of Impurity Regions of Semiconductor Crystals in Scanning Electron Microscopyстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 мая 2015 г.
Аннотация:A critical survey of the current state of the problem of visualizing local impurity regions of semiconductor crystals in a scanning electron microscope (SEM) is presented. A new physicotechnical solution for monitoring impurity distributions in doped regions that allows us to increase the contrast between images of impurity sectors in a wide range of concentrations is proposed.